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  • BST-1200C-CVD立式流化床-多壁碳納米管制備設(shè)備
    BST-1200C-CVD立式流化床-多壁碳納米管制備設(shè)備

    更新時間：2024-08-29

    型號：BST-1200C-CVD

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    1、氣體先經(jīng)過氣體預(yù)熱爐預(yù)熱后進(jìn)入流化床反應(yīng)腔體，可以降低大量冷氣流進(jìn)入腔體對工藝的影響。 2、反應(yīng)器出口配有攪動裝置， 防止碳管在反應(yīng)器出口堵塞。 3、進(jìn)液口附近配有測溫?zé)犭娕迹?可以控制進(jìn)液口的溫度。 4、進(jìn)液口活動式， 可以根據(jù)工藝需要的溫度調(diào)整上下位置。 5、收集器排氣口安裝可轉(zhuǎn)動式濾網(wǎng)，方式濾網(wǎng)堵塞。
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  • BTF-1200C-3VT-D100立式碳納米管制備設(shè)備
    BTF-1200C-3VT-D100立式碳納米管制備設(shè)備

    更新時間：2024-08-01

    型號：BTF-1200C-3VT-D100

    瀏覽量：617

    BTF-1200C-3VT-D100是一臺實驗級立式碳納米管制備設(shè)備。設(shè)備加裝石英管和石英內(nèi)管（帶砂芯）各一支、三溫區(qū)加熱爐一臺、收集罐及配套的密封上下橫向法蘭等。
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  • BTF-1200C-II-PECVDCVD系統(tǒng)
    BTF-1200C-II-PECVDCVD系統(tǒng)

    更新時間：2021-10-22

    型號：BTF-1200C-II-PECVD

    瀏覽量：1907

    CVD系統(tǒng)是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。
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  • 碳納米管
    碳納米管

    更新時間：2021-10-14

    型號：

    瀏覽量：2064

    流化床—粉體碳納米管生長設(shè)備通過流量計和靜態(tài)混氣室把氣體均勻混拌，通過上通氣，氣體通過雙層管（夾層管預(yù)熱氣體，內(nèi)腔體生長碳納米管）確保通入的氣體進(jìn)入生長腔體內(nèi)溫度一直，通過多空陶瓷網(wǎng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計，從而解決均勻進(jìn)氣的問題。使的生長腔體熱場流場穩(wěn)定，確保得到高質(zhì)量重復(fù)性好的碳納米管。
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