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CVD系統(tǒng)

回轉(zhuǎn)CVD設(shè)備負(fù)極材料燒結(jié)設(shè)備二維材料制備碳納米管

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BTF-1200C-SL-L-CVD智能型滑軌式CVD系統(tǒng)

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型號：BTF-1200C-SL-L-CVD

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BTF-1200C-SL-L-CVD是一款智能型滑軌式CVD系統(tǒng)。該設(shè)備主要分為五大部分：加熱系統(tǒng)，真空系統(tǒng)，氣體控制供給系統(tǒng)，自動控制移動系統(tǒng)，控制軟件系統(tǒng)組成。
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BTF-1200C-3VT-D100立式碳納米管制備設(shè)備

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型號：BTF-1200C-3VT-D100

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BTF-1200C-3VT-D100是一臺實(shí)驗(yàn)級立式碳納米管制備設(shè)備。設(shè)備加裝石英管和石英內(nèi)管（帶砂芯）各一支、三溫區(qū)加熱爐一臺、收集罐及配套的密封上下橫向法蘭等。
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BTF-1200C-RB-D-CVD連續(xù)進(jìn)出料回轉(zhuǎn)CVD系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-08-01

型號：BTF-1200C-RB-D-CVD

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該款CVD設(shè)備配備加熱系統(tǒng)、進(jìn)料系統(tǒng)、出料系統(tǒng)、觸摸屏控制系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、平臺升降裝置等。設(shè)備廣泛應(yīng)用于電池正負(fù)極材料，無強(qiáng)酸堿性粉體材料，顆粒狀物料等。
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BTF-1200C-II-PECVDCVD系統(tǒng)

更新時(shí)間：2021-10-22

型號：BTF-1200C-II-PECVD

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CVD系統(tǒng)是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單。
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BTF-1200C-HV高真空自動循環(huán)設(shè)備

更新時(shí)間：2021-09-28

型號：BTF-1200C-HV

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BTF-1200C-HV高真空自動循環(huán)設(shè)備內(nèi)外雙熱電偶控制，內(nèi)熱電偶制動，使用者可以設(shè)定設(shè)備循環(huán)溫度點(diǎn)，可根據(jù)內(nèi)熱電偶測得的溫度制動，推動爐管進(jìn)出加熱腔體，整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程可自動控制無需人工干涉。
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碳納米管

更新時(shí)間：2021-10-14

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流化床—粉體碳納米管生長設(shè)備通過流量計(jì)和靜態(tài)混氣室把氣體均勻混拌，通過上通氣，氣體通過雙層管（夾層管預(yù)熱氣體，內(nèi)腔體生長碳納米管）確保通入的氣體進(jìn)入生長腔體內(nèi)溫度一直，通過多空陶瓷網(wǎng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而解決均勻進(jìn)氣的問題。使的生長腔體熱場流場穩(wěn)定，確保得到高質(zhì)量重復(fù)性好的碳納米管。
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復(fù)合氧化物氫分離膜制備用CVD設(shè)備

更新時(shí)間：2021-09-27

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復(fù)合氧化物氫分離膜制備用CVD設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學(xué)沉積上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和復(fù)合氧化物（Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2）氫分離膜。
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BTF-1200C-II-SL-210雙爐膛滑動CVD控制系統(tǒng)

更新時(shí)間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SL-210

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雙爐膛滑動CVD控制系統(tǒng)操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。
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