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CVD系統(tǒng)

回轉(zhuǎn)CVD設(shè)備負極材料燒結(jié)設(shè)備二維材料制備碳納米管

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BTF-1200C-II-R-CVD連續(xù)進出料回轉(zhuǎn)CVD生長設(shè)備

更新時間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-R-CVD

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連續(xù)進出料回轉(zhuǎn)CVD生長設(shè)備爐管可360°旋轉(zhuǎn)，有助于粉料的燒結(jié)更均勻，可大角度傾斜，方便進出料，傾斜角度在0-35°之間。
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BTF-1200C-II-SL大三溫區(qū)滑軌CVD系統(tǒng)（低真空、高真空環(huán)境）

更新時間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SL

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BTF-1200C-III-SL-4ZL大三溫區(qū)滑軌CVD系統(tǒng)（低真空、高真空環(huán)境）控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能.
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BTF-1200C-II-SL雙溫區(qū)磁力拉桿設(shè)備（固態(tài)源、氣態(tài)源、多源）

更新時間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SL

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雙溫區(qū)磁力拉桿設(shè)備（固態(tài)源、氣態(tài)源、多源）具有兩個獨立的溫場，溫場之外配有磁力拉桿和石英料舟，并配有內(nèi)探熱電偶，可實現(xiàn)在實驗過程中將固態(tài)源（如硫粉、硒粉等）推進熱場，并同時可檢測溫度。
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BTF-1200C-II-SSL-CVD雙獨立溫區(qū)滑軌爐CVD設(shè)備（可于生長硫化鉬）

更新時間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SSL-CVD

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雙獨立溫區(qū)滑軌爐CVD設(shè)備（可于生長硫化鉬）提供兩個獨立滑動的溫場，兩溫場獨立控制，每個溫場的加熱區(qū)的長度為230mm，可在實驗過程中推進或推離樣品，提供兩個位置的快升降溫。
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BTF-1200C-III-S-SL-3ZL小三溫區(qū)滑軌CVD

更新時間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-III-S-SL-3ZL

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小三溫區(qū)滑軌CVD控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能.
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BTF-1200C-II-SL-CVD二維材料制備

更新時間：2021-10-22

型號：BTF-1200C-II-SL-CVD

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二維材料制備CVD系統(tǒng)前端配有可加熱到400℃的預(yù)加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區(qū)管式爐，溫度控制精確，操作簡便。并配質(zhì)量流量計系統(tǒng)和真空系統(tǒng)，可以準確的反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力和氣體流量，對于做低壓CVD實驗非常實用，重復(fù)性好。
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BTF-1200C-II-CVD1200℃雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)（低真空、高真空）

更新時間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-CVD

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BTF-1200C-II-CVD1200℃雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)（低真空、高真空）是由1200℃雙溫區(qū)開啟式管式爐、三路質(zhì)量流量計及低真空系統(tǒng)組成，根據(jù)工藝要求亦可選配高真空系統(tǒng)。設(shè)備可以抽真空通氣體保護。
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BTF-1500C-3ZL低真空CVD系統(tǒng)

更新時間：2021-09-27

型號：BTF-1500C-3ZL

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低真空CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質(zhì)量流量計、低真空機組以及1500度高溫管式爐組成。其廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。
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